东芝公司（TOKYO：6502）成功研发出一款适用于模拟功率半导体应用的静电放电（ESD）保护器件，产品采用先进的0.13μm工艺技术制造，优化了晶体管结构，显著提高了静电放电特性。静电放电保护鲁棒性提高多达四倍，标准偏差仅为传统结构的十二分之一。三维仿真分析也有助于东芝发现一种机制，优化晶体管结构，提高静电放电鲁棒性。东芝在2016年6月14日于捷克举行的国际半导体研讨会“ISPSD2016”上公布了这些创新成果。

   注入来自人体或设备的静电放电浪涌，有可能毁坏半导体器件，因为静电放电电流引起硅材内局部温度上升。需要静电放电保护器件来保护内部电路。这对需要施加10V-100V电压的模拟功率半导体器件来说尤为重要，这些半导体器件需要高额定电压。在这种情况下，静电放电保护器件必须确保大电流，进而导致芯片尺寸增大。缩小静电放电保护器件尺寸成为让芯片更为紧凑的一个课题。

   通过静电放电事件三维仿真分析，东芝发现，流经最高电场点的电流导致晶格温度上升，进而导致静电放电诱发的破坏。修改晶体管结构，将漏极低电阻区延伸向源极方向并抑制横向硅电阻，将来自漏极底部的电流转移向源极方向并从最高电场点将其分离。经发现，这一优化设计使静电放电鲁棒性提高多达四倍，而标准偏差减少到十二分之一。此外，该器件确保HBM* ±2000V所需的尺寸减少了68%。

   东芝利用0.13μm工艺技术，提供先进的模拟工艺平台，可在该平台嵌入CMOS、DMOS、双极型晶体管等晶体管以及电阻器和电容器等无源器件。用户可从以下三个工艺平台中选择适用于每个应用的工艺：“BiCD-0.13”主要面向汽车（DMOS最高可达100V）；“CD-0.13BL”主要面向电机控制驱动器（DMOS最高可达60V）以及“CD-0.13”工艺主要面向电源管理IC （DMOS最高可达40V）。

   东芝计划于2017年推出采用CD-0.13工艺技术的产品并继续积极将该工艺技术推广至其他工艺平台，以提高静电放电特性。

* HBM（人体模型）：指示静电放电鲁棒性的参数之一

Fig.1 Schematic cross-section of studied structure.

Fig.2 3D-Simulation results for studied structure.

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